تواجه الهواتف الذكية تحديا متزايدا مع توسع استخدام تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث أصبحت الذاكرة الحالية تمثل أحد أبرز العوائق أمام تشغيل النماذج اللغوية الكبيرة LLMs محليا على الأجهزة.
ورغم أن المعالجات الحديثة باتت قادرة على تشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي مباشرة على الهواتف، فإن تقنيات الذاكرة الحالية من نوع LPDDR تعاني من محدودية في سرعة نقل البيانات إلى المعالج، ما يؤثر على الأداء والكفاءة.
وبحسب تقرير جديد، يجري حاليا تطوير تقنية ذاكرة جديدة تحمل اسم LLW أو Low Latency Wide DRAM، بهدف معالجة هذه المشكلة وتوفير أداء أعلى للهواتف الذكية المستقبلية.
مستوحاة من تقنيات مراكز البيانات
وتستند تقنية LLW إلى مبادئ مشابهة لتقنية HBM (High Bandwidth Memory) المستخدمة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، والتي توفر سرعات نقل بيانات مرتفعة للغاية عبر واجهات اتصال عريضة وربط الذاكرة بالقرب من المعالج.
ووفقا للتسريبات، قد توفر LLW عرض نطاق ترددي Bandwidth، أعلى بما يتراوح بين 10 و15 مرة مقارنة بأحدث أجيال ذاكرة LPDDR المستخدمة حاليا في الهواتف الذكية.
لكن على عكس HBM، التي تتطلب حلول تبريد متقدمة وتصميما معقدا لا يناسب الهواتف، يتوقع أن تقدم LLW مزايا السرعة العالية وزمن الاستجابة المنخفض دون زيادة كبيرة في الحجم أو الحرارة.
أداء أفضل واستهلاك طاقة أقل
وتشير معلومات مسربة من أحد المصادر المتخصصة إلى أن تقنية LLW قد تساهم في خفض استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 50%، مع تحسين الأداء بنحو 1.5 مرة مقارنة بالحلول الحالية.
وفي حال تحققت هذه الأرقام، فقد تمثل التقنية نقلة مهمة للهواتف المعتمدة على الذكاء الاصطناعي، خاصة مع تزايد الحاجة إلى تشغيل نماذج أكثر تعقيدا مباشرة على الأجهزة بدلا من الاعتماد الكامل على السحابة.
متى تصل إلى الهواتف؟
ورغم الإمكانات الواعدة للتقنية الجديدة، فإنها لا تزال في مراحل التطوير المبكرة، ولم تصدر أي إعلانات رسمية من الشركات المصنعة حتى الآن.
وتشير التسريبات إلى أن الانتشار التجاري الواسع لتقنية LLW لن يبدأ قبل النصف الثاني من عام 2027، فيما تعد شركتا شاومي وهواوي من أبرز المرشحين لتبني التقنية مبكرا في هواتفهما المستقبلية.
ويرى مراقبون أن نجاح LLW قد يمهد الطريق لجيل جديد من الهواتف القادرة على تشغيل تطبيقات الذكاء الاصطناعي المتقدمة بكفاءة أعلى وسرعة أكبر، دون التضحية بعمر البطارية أو تصميم الجهاز.